超清版 GB/T 14264-2024 半导体材料术语
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- 更新时间：2025-03-19
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资料介绍
ICS29.045
CCS H 80
中华人民共和国国家标准
GB/T14264—2024
代替GB/T14264—2009
半导体材料术语
Terminologyofsemiconductormaterials
2024-04-25发布2024-11-01实施
国家市场监督管理总局
国家标准化管理委员会发布
目 次
前言………………………………………………………………………………………………………… Ⅲ
1 范围……………………………………………………………………………………………………… 1
2 规范性引用文件………………………………………………………………………………………… 1
3 一般术语………………………………………………………………………………………………… 1
4 材料制备与工艺………………………………………………………………………………………… 33
5 缺陷……………………………………………………………………………………………………… 38
6 缩略语和简称…………………………………………………………………………………………… 47
索引………………………………………………………………………………………………………… 50
前 言
本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则 第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定
起草。
本 文件代替GB/T14264—2009《半导体材料术语》,与GB/T14264—2009相比,除结构调整和编
辑性改动外,主要技术变化如下:
———增加了“宽禁带半导体”等261项术语及其定义(见第3章~第5章);
———删除了“脊形崩边”等64项术语及其定义(见2009年版的第3章);
———更改了“化合物半导体”等62项术语及其定义(见第3章~第5章,2009年版的第3章)。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。
本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准
化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。
本文件起草单位:有研半导体硅材料股份公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、北京大学
东莞光电研究院、南京国盛电子有限公司、云南临沧鑫圆锗业股份有限公司、青海黄河上游水电开发有
限责任公司新能源分公司、中国科学院上海光学精密机械研究所、有研国晶辉新材料有限公司、浙江中
晶科技股份有限公司、江苏中能硅业科技发展有限公司、中环领先半导体材料有限公司、新特能源股份
有限公司、宜昌南玻硅材料有限公司、亚洲硅业(青海)股份有限公司、中国电子科技集团公司第十三研
究所、四川永祥股份有限公司、云南驰宏国际锗业有限公司、麦斯克电子材料股份有限公司、浙江海纳半
导体股份有限公司、常州时创能源股份有限公司、东莞市中镓半导体科技有限公司、中国科学院半导体
研究所。
本文件主要起草人:孙燕、贺东江、李素青、宁永铎、丁晓民、朱晓彤、骆红、普世坤、秦榕、杭寅、郑安生、
宫龙飞、程凤伶、黄笑容、李国鹏、金鹏、王彬、张雪囡、邱艳梅、刘文明、尹东林、孙聂枫、李寿琴、崔丁方、
史舸、潘金平、殷淑仪、由佰玲。
本文件于1993年首次发布,2009年第一次修订,本次为第二次修订。
1 范围
本文件界定了半导体材料的一般术语和定义,材料制备与工艺及缺陷的术语和定义,以及缩略语。
本文件适用于半导体材料的研发、生产、制备及相关领域。
2 规范性引用文件
本文件没有规范性引用文件。
3 一般术语
3.1
半导体 semiconductor
导电性能介于导体与绝缘体之间,室温下电阻率约为10-5 Ω·cm~1012 Ω·cm,由带正电的空穴
和带负电的电子两种载流子参加导电,并具有负的电阻温度系数以及光电导效应、整流效应的固体
物质。
注:半导体按其结构分为单晶体、多晶体和非晶体。
3.2
本征半导体 intrinsicsemiconductor
晶格完整且不含杂质,在热平衡条件下,其中参与导电的电子和空穴数目近乎相等的理想半导体。
注:通常所说的本征半导体是指仅含极痕量杂质,导电性能与理想情况很相近的半导体。
3.3
元素半导体 elementalsemiconductor
由单一元素的原子组成的半导体材料。
注:如硅、锗、金刚石等。
3.4
化合物半导体 compoundsemiconductor
由2种或2种以上不同元素按确定的原子配比形成的半导体材料。
注:如砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、碲化镉(CdTe)、碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化镓(GaO)、铟镓氮(InGaN)和
铝镓铟磷(AlGaInP)等。
3.5
宽禁带半导体 widebandgapsemiconductor
通常为禁带宽度不低于2.3eV 的半导体材料。
注:常见宽禁带半导体材料有,碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、氧化镓(β-Ga2O3)、金刚石、氮化铝
(AlN)等。
3.6
半绝缘砷化镓 semi-insulatingGaAs
电阻率大于1×107 Ω·cm 的砷化镓单晶。
注:用作微电子器件的衬底材料。
1
GB/T14264—2024
3.7
类金刚石碳膜 diamond-likecarbonfilm
具有类似于金刚石正四面体键结构的多晶或非晶碳膜。
注:具有负电子亲和势、高硬度和抗腐蚀性,能用作光电阴极材料和器件的钝化保护膜。
3.8
蓝宝石衬底 sapphiresubstrate
用于外延生长半导体薄膜的蓝宝石单晶抛光片。
注:常用的晶面有C面、R面、M 面、A面。
3.9
金刚石 terminaldiamond
禁带宽度为5.5eV,拥有耐高压、大射频、低成本、耐高温特性的半导体材料。
注:也被称为第四代半导体材料。
3.10
氢终端金刚石 hydrogenterminaldiamond;H-diamond
表面吸附大量氢原子,呈现负电子亲和势特性(-1.2eV),且
CCS H 80
中华人民共和国国家标准
GB/T14264—2024
代替GB/T14264—2009
半导体材料术语
Terminologyofsemiconductormaterials
2024-04-25发布2024-11-01实施
国家市场监督管理总局
国家标准化管理委员会发布
目 次
前言………………………………………………………………………………………………………… Ⅲ
1 范围……………………………………………………………………………………………………… 1
2 规范性引用文件………………………………………………………………………………………… 1
3 一般术语………………………………………………………………………………………………… 1
4 材料制备与工艺………………………………………………………………………………………… 33
5 缺陷……………………………………………………………………………………………………… 38
6 缩略语和简称…………………………………………………………………………………………… 47
索引………………………………………………………………………………………………………… 50
前 言
本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则 第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定
起草。
本 文件代替GB/T14264—2009《半导体材料术语》,与GB/T14264—2009相比,除结构调整和编
辑性改动外,主要技术变化如下:
———增加了“宽禁带半导体”等261项术语及其定义(见第3章~第5章);
———删除了“脊形崩边”等64项术语及其定义(见2009年版的第3章);
———更改了“化合物半导体”等62项术语及其定义(见第3章~第5章,2009年版的第3章)。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。
本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准
化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。
本文件起草单位:有研半导体硅材料股份公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、北京大学
东莞光电研究院、南京国盛电子有限公司、云南临沧鑫圆锗业股份有限公司、青海黄河上游水电开发有
限责任公司新能源分公司、中国科学院上海光学精密机械研究所、有研国晶辉新材料有限公司、浙江中
晶科技股份有限公司、江苏中能硅业科技发展有限公司、中环领先半导体材料有限公司、新特能源股份
有限公司、宜昌南玻硅材料有限公司、亚洲硅业(青海)股份有限公司、中国电子科技集团公司第十三研
究所、四川永祥股份有限公司、云南驰宏国际锗业有限公司、麦斯克电子材料股份有限公司、浙江海纳半
导体股份有限公司、常州时创能源股份有限公司、东莞市中镓半导体科技有限公司、中国科学院半导体
研究所。
本文件主要起草人:孙燕、贺东江、李素青、宁永铎、丁晓民、朱晓彤、骆红、普世坤、秦榕、杭寅、郑安生、
宫龙飞、程凤伶、黄笑容、李国鹏、金鹏、王彬、张雪囡、邱艳梅、刘文明、尹东林、孙聂枫、李寿琴、崔丁方、
史舸、潘金平、殷淑仪、由佰玲。
本文件于1993年首次发布,2009年第一次修订,本次为第二次修订。
1 范围
本文件界定了半导体材料的一般术语和定义,材料制备与工艺及缺陷的术语和定义,以及缩略语。
本文件适用于半导体材料的研发、生产、制备及相关领域。
2 规范性引用文件
本文件没有规范性引用文件。
3 一般术语
3.1
半导体 semiconductor
导电性能介于导体与绝缘体之间,室温下电阻率约为10-5 Ω·cm~1012 Ω·cm,由带正电的空穴
和带负电的电子两种载流子参加导电,并具有负的电阻温度系数以及光电导效应、整流效应的固体
物质。
注:半导体按其结构分为单晶体、多晶体和非晶体。
3.2
本征半导体 intrinsicsemiconductor
晶格完整且不含杂质,在热平衡条件下,其中参与导电的电子和空穴数目近乎相等的理想半导体。
注:通常所说的本征半导体是指仅含极痕量杂质,导电性能与理想情况很相近的半导体。
3.3
元素半导体 elementalsemiconductor
由单一元素的原子组成的半导体材料。
注:如硅、锗、金刚石等。
3.4
化合物半导体 compoundsemiconductor
由2种或2种以上不同元素按确定的原子配比形成的半导体材料。
注:如砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、碲化镉(CdTe)、碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化镓(GaO)、铟镓氮(InGaN)和
铝镓铟磷(AlGaInP)等。
3.5
宽禁带半导体 widebandgapsemiconductor
通常为禁带宽度不低于2.3eV 的半导体材料。
注:常见宽禁带半导体材料有,碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、氧化镓(β-Ga2O3)、金刚石、氮化铝
(AlN)等。
3.6
半绝缘砷化镓 semi-insulatingGaAs
电阻率大于1×107 Ω·cm 的砷化镓单晶。
注:用作微电子器件的衬底材料。
1
GB/T14264—2024
3.7
类金刚石碳膜 diamond-likecarbonfilm
具有类似于金刚石正四面体键结构的多晶或非晶碳膜。
注:具有负电子亲和势、高硬度和抗腐蚀性,能用作光电阴极材料和器件的钝化保护膜。
3.8
蓝宝石衬底 sapphiresubstrate
用于外延生长半导体薄膜的蓝宝石单晶抛光片。
注:常用的晶面有C面、R面、M 面、A面。
3.9
金刚石 terminaldiamond
禁带宽度为5.5eV,拥有耐高压、大射频、低成本、耐高温特性的半导体材料。
注:也被称为第四代半导体材料。
3.10
氢终端金刚石 hydrogenterminaldiamond;H-diamond
表面吸附大量氢原子,呈现负电子亲和势特性(-1.2eV),且