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T/CASAS 004.2-2018 4H碳化硅衬底及外延层缺陷图谱

  • 文件大小:3.62 MB
  • 标准类型:综合团体标准
  • 标准语言:中文版
  • 文件类型:PDF文档
  • 更新时间:2022-09-19
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资料介绍

本标准阐述了4H-SiC衬底及外延缺陷的图谱,其中包括4H-SiC衬底缺陷、外延缺陷以及工艺产生的缺陷。
本标准给出了4H碳化硅(4H-SiC)衬底及外延层的主要缺陷、工艺与加工缺陷等方面的形貌特征图谱,说明了缺陷的特点、性质及其对外延生长或器件特征参数的影响,分析了产生的原因及消除方法,并进行了分类。

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