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CMOS技术中的闩锁效应

  • 文件大小：7680 KB
  • 标准类型：计算机与网络
  • 标准语言：中文版
  • 文件类型：PDF版
  • 更新时间：2016-02-02
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资料介绍

闩锁效应是由NMOS的有源区、P衬底、N阱、PMOS的有源区构成的n-p-n-p结构产生的，当其中一个三极管正偏时，就会构成正反馈形成闩锁。闩锁效应是CMOS工艺所特有的寄生效应，严重...

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