半导体薄膜技术基础 微电子与集成电路设计系列规划教材
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- 更新时间：2021-04-01
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资料介绍
半导体薄膜技术基础
作者：李晓干
出版时间：2018年版
丛编项： 微电子与集成电路设计系列规划教材
内容简介
本书对当前主要应用的薄膜技术及相关设备进行了深入浅出的介绍，主要包括作为*重要的半导体衬底的硅单晶材料学、薄膜基础知识、PVD技术、CVD技术及其他相关的薄膜加工技术，在对各种技术进行介绍的同时，还对各种技术所应用的设备进行简要介绍。本书提供配套电子课件。本书作为半导体薄膜技术的入门书籍，既有薄膜技术的基本理论介绍，又提供了大量的设备基本结构知识，可以作为微电子等相关专业学生的教学参考书，对从事薄膜技术的工程技术人员而言，也可以作为相关的参考资料。
目录
第1章 绪论/t1
本章小结/t5
习题/t6
第2章 硅单晶材料学/t7
2．1 硅及其化合物的基本性质/t7
2．2 硅的晶体结构/t13
2．3 硅的生长加工方法/t16
2．4 硅材料与器件的关系/t19
本章小结/t21
习题/t22
第3章 薄膜基础知识/t23
3．1 薄膜的定义及应用/t23
3．2 薄膜结构、缺陷及基本性质/t26
3．2．1 薄膜的基本结构及缺陷/t26
3．2．2 薄膜的基本性质/t29
3．3 薄膜衬底材料的一般知识/t34
3．3．1 玻璃衬底/t34
3．3．2 陶瓷衬底/t35
3．3．3 单晶体衬底/t36
3．3．4 衬底清洗/t37
3．4 薄膜的性能检测简介/t40
3．4．1 薄膜的厚度检测/t40
3．4．2 薄膜的可靠性/t43
本章小结/t44
习题/t44
第4章 氧化技术/t46
4．1 二氧化硅（SiO2）薄膜简介/t47
4．2 氧化技术原理/t49
4．2．1 热氧化技术的基本原理/t50
4．2．2 水汽氧化/t51
4．2．3 湿氧氧化工艺原理/t52
4．2．4 三种热氧化工艺方法的优缺点/t53
4．3 氧化工艺的一般过程/t54
4．4 氧化膜质量评价/t58
4．4．1 SiO2薄膜表面观察法/t58
4．4．2 SiO2薄膜厚度的测量/t58
4．5 热氧化过程中存在的一般问题分析/t61
4．5．1 氧化层厚度不均匀/t61
4．5．2 氧化层表面的斑点/t61
4．5．3 氧化层的针孔/t62
4．5．4 SiO2氧化层中的钠离子污染/t62
本章小结/t62
习题/t63
第5章 溅射技术/t64
5．1 离子溅射的基本原理/t64
5．1．1 溅射现象/t64
5．1．2 溅射产额及其影响因素/t65
5．1．3 选择溅射现象/t70
5．1．4 溅射镀膜工艺/t70
5．2 溅射工艺设备/t72
5．2．1 直流溅射台/t74
5．2．2 射频溅射台/t77
5．2．3 磁控溅射/t79
5．3 溅射工艺应用及工艺实例/t80
本章小结/t83
习题/t83
第6章 真空蒸镀技术/t84
6．1 真空蒸镀技术简介/t84
6．2 真空蒸镀工艺的相关参数/t86
6．2．1 工艺真空/t86
6．2．2 饱和蒸气压/t88
6．2．3 蒸发速率和沉积速率/t88
6．3 真空蒸镀源/t89
6．4 真空蒸镀设备/t90
6．4．1 热阻加热式蒸镀机（蒸发机）/t92
6．4．2 电子束蒸发台/t94
本章小结/t96
习题/t97
第7章 CVD技术/t98
7．1 CVD技术简介/t98
7．2 常用CVD技术简介/t99
7．3 低压化学气相淀积（LPCVD）/t103
7．4 PECVD/t107
7．5 CVD系统的模型及基本理论/t115
7．6 CVD工艺系统简介/t117
7．6．1 CVD的气体源系统/t118
7．6．2 CVD的质量流量控制系统/t118
7．6．3 CVD反应腔室内的热源/t119
本章小结/t119
习题/t119
第8章 其他半导体薄膜加工技术简介/t121
8．1 外延技术/t121
8．1．1 分子束外延/t121
8．1．2 液相外延（LPE）/t123
8．1．3 气相外延（VPE）/t124
8．1．4 选择外延（SEG）/t125
8．2 离子束沉积和离子镀/t126
8．3 电镀技术/t128
8．4 化学镀/t131
8．5 旋涂技术/t131
8．6 溶胶-凝胶法/t133
本章小结/t134
习题/t134
参考文献/t134
作者：李晓干
出版时间：2018年版
丛编项： 微电子与集成电路设计系列规划教材
内容简介
本书对当前主要应用的薄膜技术及相关设备进行了深入浅出的介绍，主要包括作为*重要的半导体衬底的硅单晶材料学、薄膜基础知识、PVD技术、CVD技术及其他相关的薄膜加工技术，在对各种技术进行介绍的同时，还对各种技术所应用的设备进行简要介绍。本书提供配套电子课件。本书作为半导体薄膜技术的入门书籍，既有薄膜技术的基本理论介绍，又提供了大量的设备基本结构知识，可以作为微电子等相关专业学生的教学参考书，对从事薄膜技术的工程技术人员而言，也可以作为相关的参考资料。
目录
第1章 绪论/t1
本章小结/t5
习题/t6
第2章 硅单晶材料学/t7
2．1 硅及其化合物的基本性质/t7
2．2 硅的晶体结构/t13
2．3 硅的生长加工方法/t16
2．4 硅材料与器件的关系/t19
本章小结/t21
习题/t22
第3章 薄膜基础知识/t23
3．1 薄膜的定义及应用/t23
3．2 薄膜结构、缺陷及基本性质/t26
3．2．1 薄膜的基本结构及缺陷/t26
3．2．2 薄膜的基本性质/t29
3．3 薄膜衬底材料的一般知识/t34
3．3．1 玻璃衬底/t34
3．3．2 陶瓷衬底/t35
3．3．3 单晶体衬底/t36
3．3．4 衬底清洗/t37
3．4 薄膜的性能检测简介/t40
3．4．1 薄膜的厚度检测/t40
3．4．2 薄膜的可靠性/t43
本章小结/t44
习题/t44
第4章 氧化技术/t46
4．1 二氧化硅（SiO2）薄膜简介/t47
4．2 氧化技术原理/t49
4．2．1 热氧化技术的基本原理/t50
4．2．2 水汽氧化/t51
4．2．3 湿氧氧化工艺原理/t52
4．2．4 三种热氧化工艺方法的优缺点/t53
4．3 氧化工艺的一般过程/t54
4．4 氧化膜质量评价/t58
4．4．1 SiO2薄膜表面观察法/t58
4．4．2 SiO2薄膜厚度的测量/t58
4．5 热氧化过程中存在的一般问题分析/t61
4．5．1 氧化层厚度不均匀/t61
4．5．2 氧化层表面的斑点/t61
4．5．3 氧化层的针孔/t62
4．5．4 SiO2氧化层中的钠离子污染/t62
本章小结/t62
习题/t63
第5章 溅射技术/t64
5．1 离子溅射的基本原理/t64
5．1．1 溅射现象/t64
5．1．2 溅射产额及其影响因素/t65
5．1．3 选择溅射现象/t70
5．1．4 溅射镀膜工艺/t70
5．2 溅射工艺设备/t72
5．2．1 直流溅射台/t74
5．2．2 射频溅射台/t77
5．2．3 磁控溅射/t79
5．3 溅射工艺应用及工艺实例/t80
本章小结/t83
习题/t83
第6章 真空蒸镀技术/t84
6．1 真空蒸镀技术简介/t84
6．2 真空蒸镀工艺的相关参数/t86
6．2．1 工艺真空/t86
6．2．2 饱和蒸气压/t88
6．2．3 蒸发速率和沉积速率/t88
6．3 真空蒸镀源/t89
6．4 真空蒸镀设备/t90
6．4．1 热阻加热式蒸镀机（蒸发机）/t92
6．4．2 电子束蒸发台/t94
本章小结/t96
习题/t97
第7章 CVD技术/t98
7．1 CVD技术简介/t98
7．2 常用CVD技术简介/t99
7．3 低压化学气相淀积（LPCVD）/t103
7．4 PECVD/t107
7．5 CVD系统的模型及基本理论/t115
7．6 CVD工艺系统简介/t117
7．6．1 CVD的气体源系统/t118
7．6．2 CVD的质量流量控制系统/t118
7．6．3 CVD反应腔室内的热源/t119
本章小结/t119
习题/t119
第8章 其他半导体薄膜加工技术简介/t121
8．1 外延技术/t121
8．1．1 分子束外延/t121
8．1．2 液相外延（LPE）/t123
8．1．3 气相外延（VPE）/t124
8．1．4 选择外延（SEG）/t125
8．2 离子束沉积和离子镀/t126
8．3 电镀技术/t128
8．4 化学镀/t131
8．5 旋涂技术/t131
8．6 溶胶-凝胶法/t133
本章小结/t134
习题/t134
参考文献/t134