半导体器件原理 [黄均鼐 等编著]
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- 更新时间：2020-11-29
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资料介绍
半导体器件原理
作者：黄均鼐，汤庭鳌，胡光喜 编著
复旦大学
出版时间：2011
本书不仅介绍了传统的p-n结、双极型晶体管、单栅MOS场效应管、功率晶体管等器件的结构、原理和特性，还介绍了新型多栅MOS场效应管、不挥发存储器以及肖特基势垒源／漏结构器件的原理和特性。力求突出器件的物理图像和物理概念，不仅有理论基础知识的阐述，还有新近研究成果的介绍。本书可作为电子科学与技术类低年级本科生的教材，也可供高年级本科生以及研究生等参考使用
作者：黄均鼐，汤庭鳌，胡光喜 编著
复旦大学
出版时间：2011
本书不仅介绍了传统的p-n结、双极型晶体管、单栅MOS场效应管、功率晶体管等器件的结构、原理和特性，还介绍了新型多栅MOS场效应管、不挥发存储器以及肖特基势垒源／漏结构器件的原理和特性。力求突出器件的物理图像和物理概念，不仅有理论基础知识的阐述，还有新近研究成果的介绍。本书可作为电子科学与技术类低年级本科生的教材，也可供高年级本科生以及研究生等参考使用