绝缘体上硅（SOI）技术：制造及应用 奥列格·库侬楚克 等著，阮碧艳 等译 2018年版
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- 更新时间：2023-03-06
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资料介绍
绝缘体上硅（SOI）技术：制造及应用
作者：奥列格·库侬楚克 等著，阮碧艳 等译
出版时间： 2018年版
内容简介
《绝缘体上硅（SOI）技术：制造及应用》的目的是对SOI CMOS新技术的进展进行全面介绍。全书分为两部分：第一部分介绍SOI晶圆片的制造工艺、表征及SOI器件物理；第二部分介绍相关的各种应用。全书既涉及部分耗尽SOI这样已成熟的技术，也包括全耗尽平面SOI技术、FinFET、射频、光电子、MEMS以及超低功耗应用这样一些新发展的技术。晶体管级和电路级解决方案也均有涉及。我们将这《绝缘体上硅（SOI）技术：制造及应用》的解决方案限定在32~14nm技术节点的范围，并将应用限定在技术成熟到足以实现批量生产的范围。
作者：奥列格·库侬楚克 等著，阮碧艳 等译
出版时间： 2018年版
内容简介
《绝缘体上硅（SOI）技术：制造及应用》的目的是对SOI CMOS新技术的进展进行全面介绍。全书分为两部分：第一部分介绍SOI晶圆片的制造工艺、表征及SOI器件物理；第二部分介绍相关的各种应用。全书既涉及部分耗尽SOI这样已成熟的技术，也包括全耗尽平面SOI技术、FinFET、射频、光电子、MEMS以及超低功耗应用这样一些新发展的技术。晶体管级和电路级解决方案也均有涉及。我们将这《绝缘体上硅（SOI）技术：制造及应用》的解决方案限定在32~14nm技术节点的范围，并将应用限定在技术成熟到足以实现批量生产的范围。